细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

碳化硅样品

2023-08-12T09:08:56+00:00

中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可

网页2023年4月20日中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可期近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款网页2023年4月20日中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可期近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可期

碳化硅SIC材料研究现状与行业应用知乎

网页2019年9月2日目前国际上碳化硅芯片的制造已经从4英寸换代到6英寸，并已经开发出了8英寸碳化硅单晶样品，与先进的硅功率半导体器件相比，单晶衬底的尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。（2）缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术。碳化硅单晶衬底网页2023年4月20日近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片。近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可

重要事件汇总：中电科55所碳化硅芯片样品流片飞轮

网页2023年4月20日中电科55所碳化硅芯片样品流片，第三代半导体百亿市场空间可期近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第三代宽禁网页2019年9月5日目前国际上碳化硅芯片的制造已经从4英寸换代到6英寸，并已经开发出了8英寸碳化硅单晶样品，与先进的硅功率半导体器件相比，单晶衬底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。缺乏更高效的碳化硅单晶衬底第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

河北同光：8英寸导电型碳化硅晶体样品出炉知乎

网页2023年4月10日据河北党员教育微信公众号消息显示，近日，河北同光半导体历经2年多的研发，8英寸导电型碳化硅晶体样品已经出炉，工作人员正在攻关加工成碳化硅单晶衬底。预计这款新产品年底可实现小批量生产，将被客户制为功率芯片。据悉，河北同光半导体成立网页2023年4月20日碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势，可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。机构分析指出，碳化硅中电科55所碳化硅芯片样品流片第三代半导体百亿市场空间可期

重要事件汇总：中电科55所碳化硅芯片样品流片

网页中电科55所碳化硅芯片样品流片，第三代半导体百亿市场空间可期近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。网页碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。碳化硅百度百科

重要事件汇总：中电科55所碳化硅芯片样品流片飞轮

网页2023年4月20日中电科55所碳化硅芯片样品流片，第三代半导体百亿市场空间可期近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第三代宽禁网页2021年3月13日其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。历史上人类次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。在经历了百年的探索之后碳化硅(SiC)的前世今生！知乎

SiC单晶的表面清洗样品

网页2021年3月10日 3、实验用清洗剂+SPM两步清洗法：（1）用干净的电动牙刷蘸取适量实验用清洗剂刷洗SiC单晶样品5min；（2）DI水冲洗3min，将样品表面的清洗剂冲洗干净；（3）将样品置于实验用清洗剂的稀释溶液（实验用清洗剂：DI水=1：100）中超声20min；（4）DI水冲洗3min 网页2023年3月27日图a碳化硅对顶砧和浅层硅空位色心探测磁性样品示意图；b硅空位色心零场劈裂随压力的变化关系；c钕铁硼材料的磁性相变探测；d钇钡铜氧超导材料的T cP相图；e基于碳化硅中硅色心实现高压原位磁探测的示意图。中国科大首次实现基于碳化硅中硅空位色心的高压原位磁探测

等离子放电烧结法制备碳化硅陶瓷豆丁网

网页2012年11月8日这说明使用SPS烧结碳化硅大大降低了初始烧结温度，并显著缩短了烧结时间。另外，SiC＋I％AI的样品较纯碳化硅样品烧结温度更低，收缩速度更大。显然铝的加入降低了碳化硅的烧结温度，且加快烧结速度，缩短了致密化时间。网页2022年7月13日全球碳化硅功率器件市场规模（调研机构Yole预测）郭晨凯制图在新能源汽车、光伏、电力电子等市场需求带动下，全球碳化硅市场规模正在快速成长。近期，锂电巨头、通信巨头、整车大厂等盯上了碳化硅，频频入股相关初创公司。“上车+逐光” 碳化硅产业跑出发展加速度器件新能源导体

SiC材料缺陷诱导磁性研究《西安电子科技大学》2018年

网页5从离子注入碳化硅样品中的顺磁相出发,提出了一种表征离子注入碳化硅样品中缺陷浓度及类型的方法。以铝注入4HSiC样品为例,具体解释了这一表征方法的步骤,并利用电子顺磁共振谱、正电子湮没谱和性原理计算等方法对表征出的结果进行了验证和解释。网页2022年4月8日碳化硅器件龙头都在进行充电桩技术模块的研发，英飞凌、Wolf Speed、STM等公司都在积极进入碳化硅充电桩市场。结尾： SiC器件发展分为三个发展阶段：2019－2021年为初期，2022－2023年为拐点期，2024－2026年为爆发期。碳化硅将迎来爆发型增长

碳化硅金相砂纸型号，粗、细都有了，想找的别错过了！知乎

网页2022年2月28日下面一张表格将告诉你金相实验室所需全部碳化硅金相砂纸型号。以上两张表格将美国进口碳化硅金相砂纸型号全部列出，无论你需要直径3in、8in、10in还是12in的，也无论你需要带背胶还是不带背胶的，从最粗P60（260μm）到最细P4000（5μm）都有了，适合于各种金相样品制备目的要求。网页SiC（碳化硅）MOSFET SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属 SiC（碳化硅）MOSFET产品结果罗姆半导体集

重要事件汇总：中电科55所碳化硅芯片样品流片飞轮

网页2023年4月20日中电科55所碳化硅芯片样品流片，第三代半导体百亿市场空间可期近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。碳化硅作为第三代宽禁网页2022年4月24日常压烧结（Pressureless Sintering，PS）碳化硅在不施加外部压力的情况下，即通常在 1 01 × 10 5 Pa 压力和惰性气氛条件下，通过添加合适的烧结助剂，在 2 000 ～ 2 150 ℃ 间，可对不同形状和尺寸的样品进行致密化烧结。碳化硅的常压烧结可分固相烧国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线

芯报丨2025年全球碳化硅器件市场需求达百亿，中电科55所

网页2023年4月20日近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。机构分析指出，碳化硅下游需求不断扩大，百亿市场空间可期。网页2022年9月26日为增加产能供给，也为进一步降低碳化硅器件的平均成本，扩大碳化硅衬底尺寸是重要途径之一。为此，业界将目标锁定在8英寸碳化硅衬底上。业界领头羊Wolfspeed（原名Cree）在2015年展示了8英寸碳化硅样品，2019年完成了首批8英寸碳化硅衬底样品的制样，并于今年开始量产8英寸衬底。徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅衬底制备技术领域取得

碳化硅/氮化镓新赛道已经开启哪些标的值得关注？氮化镓

网页2022年1月5日闻泰科技：650V氮化镓（GaN）技术已经通过车规级测试，碳化硅产品批晶圆和样品已交付，有望在2021年底到2022 年开始量产士兰微：已经建成了6 网页2022年3月2日采用 OLYMPUS BX51M 金相显微镜观察反应熔渗后碳化硅样品的金相组织。对反应熔渗后的样品进行抛光处理, 观察抛光表面。采用 Phenom ProX 台式扫描电子显微镜分析样品的微观结构。采用 PTXFA110 电子天平测试样品重量,采用数显卡尺测试样品尺寸立体光固化 3D 打印成型碳化硅陶瓷的烧结特性 CERADIR

徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅衬底制备技术领域取得新

网页2022年9月22日为增加产能供给，也为进一步降低碳化硅器件的平均成本，扩大碳化硅衬底尺寸是重要途径之一。为此，业界将目标锁定在8英寸碳化硅衬底上。业界领头羊Wolfspeed（原名Cree）在2015年展示了8英寸碳化硅样品，2019年完成了首批8英寸碳化硅衬底样品的制样，并于今年开始量产8英寸衬底。网页5从离子注入碳化硅样品中的顺磁相出发,提出了一种表征离子注入碳化硅样品中缺陷浓度及类型的方法。以铝注入4HSiC样品为例,具体解释了这一表征方法的步骤,并利用电子顺磁共振谱、正电子湮没谱和性原理计算等方法对表征出的结果进行了验证和解释。SiC材料缺陷诱导磁性研究《西安电子科技大学》2018年

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