细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

碳化硅衬底出货量

2022-08-31T18:08:02+00:00

预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模

网页2022年7月17日从衬底来看，据不完全统计，国内目前已有30余家碳化硅衬底企业，投资金额已经超过500亿元。据CASA Research不完全统计，2021年国内投产3条6英寸SiC晶网页2021年4月29日导语：我们测算 SiC 衬底及外延片价值量合计占比超器件总价值量的 60%，2025 年中国本土导电型衬底片需求超100万片，行业上游重要性强，需求空间广阔【行业报告】2021年碳化硅行业研究报告导语：我们测算 SiC

项目遍布全国！？全球碳化硅芯片产能和竞争格局最新进展

网页2022年2月18日其中，因布局较早，良率与产能规模全球领先，在碳化硅衬底及外延片市场Wolfspeed一家独大。下游器件领域，车规级产品可靠性认证需求导致行业整体进入门网页2022年3月22日 2020 年全球半绝缘型碳化硅衬底市场规模达 182 亿美元，同比增长 179%；公司以 30%的市占率位列全球第三，仅次于海外 SiC 衬底龙头 Wolfspeed、II 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

网页2023年4月17日 41、供给端：海外龙头主导出货量，全球有效产能仍不足当前制约碳化硅器件大规模商业化应用的主要因素在于高成本，碳化硅衬底制造难度大、良率低为主要网页2022年5月17日衬底市场有望保持快速增长：根据 Yole，全球半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为 4 英寸）将由 2020 年的 1656 万片增长至 2025 年的 4384 万片，期间复合全球半绝缘型碳化硅村底销量预测（万片) 行业研究数据

中金碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追新浪

网页2022年1月13日我们认为行业应避免产能无序扩张。碳化硅材料企业盈利能力及估值展望：我们认为SiC衬底供应商的整体良品率与每个单晶炉年产量是体现公司网页2023年4月20日众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量

第三代半导体材料：碳化硅SiC产业及个股梳理一碳化硅

网页碳化硅衬底技术难度高，国内具备技术储备和量产能力的公司较少，主要厂商包括三安光电、晶盛机电、天岳先进、露笑科技等。天岳先进：国内，全球第三大半绝缘型SiC衬网页2021年3月17日报告综述：新能源与 5G 建设的基石：碳化硅衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或半绝缘碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件，主要中国科学技术协会智库成果碳化硅行业专题深度研究报告

碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

网页2023年4月17日 41、供给端：海外龙头主导出货量，全球有效产能仍不足当前制约碳化硅器件大规模商业化应用的主要因素在于高成本，碳化硅衬底制造难度大、良率低为主要原因。全球碳化硅市场呈美国、欧洲、日本三足鼎立的格局，国内龙头企业仅天科合网页2021年11月24日根据《2020 年中国第三代半导体碳化硅晶片行业分析报告》，2020 上半年全球半导体 SiC 晶片市场中，美国 Cree 出货量占据全球 45%。此外，Cree/IIVI 等国际碳化硅衬底龙头企业的制备技术也领先于国内。 Cree 公司可批量供应 46 英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底半导体行业深度分析：SiC衬底产业瓶颈亟待突破，国内

第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（上篇）知乎

网页2022年3月9日碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术，目前行业采用主流的方法为物理气相传输法（PVT）。碳化硅衬底行业属于技术密集型行业，是材料、热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械等交叉学科应用，其制作过程首先是使晶体生长形成碳化硅晶锭，将其加工和切割形成碳化硅网页2021年11月24日根据 Yole 的预测，半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为 4 英寸）有望由 2020 年的 1656 万片增长至 2025 年的 4384 万片，期间复合增长率为 2150%。根据山东天岳招股书，2020 年衬底的平均单位价格为 920494 元/片，粗略推算，2025 年半绝缘型碳化硅衬底市场规模有望达到 4035 亿元。第三代半导体SiC衬底研究：产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速

碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星腾讯新闻

网页2023年4月17日 41、供给端：海外龙头主导出货量，全球有效产能仍不足当前制约碳化硅器件大规模商业化应用的主要因素在于高成本，碳化硅衬底制造难度大、良率低为主要原因。全球碳化硅市场呈美国、欧洲、日本三足鼎立的格局，国内龙头企业仅天科合达和天网页供给端：衬底市场有望保持快速增长，国内有效产能仍有不足根据 Yole，全球半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为 4 英寸）将由 2020 年的 1656 万片增长至 2025 年的 4384 万片，年复合增长率为 2150%。 SiC衬底价格会随着尺寸增加有所下降，同时进一步带来碳化硅衬底市场规模、行业格局及发展趋势百度文库

全球半绝缘型碳化硅村底销量预测（万片) 行业研究数据

网页2022年5月17日衬底市场有望保持快速增长：根据 Yole，全球半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为 4 英寸）将由 2020 年的 1656 万片增长至 2025 年的 4384 万片，期间复合增长率为 2150%。以市场规模计算，全球 GaN 射频器件中，以碳化硅为衬底的约占 90%。以此网页2023年4月4日 5、去年的时候，咱们其实对于包括 22年和 2 3年的碳化硅衬底的出货都是有一定的预期。现在的话就想看一下，比方说 1 年已经过去了，然后咱们现在回顾一下这东西，咱们当咱们 22 年的这么出货量，以及 20 年的这么预期出货量价的情况到底是怎样的？露笑科技调研纪要：未来的5到10年碳化硅市场，依然供给比较

【芯版图】需求引爆碳化硅，衬底厂商IPO“赶考”之路如何

网页2022年2月5日目前，全世界主要碳化硅衬底供应商包括Wolfspeed（曾用名“Cree”）、日本罗姆子公司SiCrystal与美国厂商IIVI。根据半导体时代产业数据中心的报告显示：2020上半年全球半导体碳化硅晶片市场份额，Wolfspeed出货量占据全球45%，日本罗姆子公司SiCrystal网页2021年3月17日报告综述：新能源与 5G 建设的基石：碳化硅衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或半绝缘碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件，主要中国科学技术协会智库成果碳化硅行业专题深度研究报告

中金碳化硅器件：百亿美元赛道，谱写后硅基IGBT时代

网页2022年7月1日根据PGC Consultancy的预测，到 2030 年，在 8英寸衬底上制造的 1,200V/100A MOSFET 芯片单位成本相交如今的6英寸衬底的单位成本有望降低 54%。因此我们认为，20222023年在8寸晶圆上制造SiC器件成本经济性依然优势较小，而2024年行业有望大规模引入8寸衬底，同时器件成本下降有望迎来加速期。网页2022年8月15日 SiC 衬底售价随着出货量提升而逐步下行。2021 年，天岳先进的平均销售价格为 6767 元/片，较 2020 年同比下降 25%。考虑到目前国产 6 英寸衬底还未大批量生产，所以预计还会有降价空间。另一方面，半绝缘型 SiC 衬底由于市场供应商较少，且碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点

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网页2023年4月17日 41、供给端：海外龙头主导出货量，全球有效产能仍不足当前制约碳化硅器件大规模商业化应用的主要因素在于高成本，碳化硅衬底制造难度大、良率低为主要原因。全球碳化硅市场呈美国、欧洲、日本三足鼎立的格局，国内龙头企业仅天科合网页2023年4月17日 41、供给端：海外龙头主导出货量，全球有效产能仍不足当前制约碳化硅器件大规模商业化应用的主要因素在于高成本，碳化硅衬底制造难度大、良率低为主要原因。全球碳化硅市场呈美国、欧洲、日本三足鼎立的格局，国内龙头企业仅天科合达和天碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星腾讯新闻

重大合同！38亿采购碳化硅（SiC）芯片腾讯新闻

网页另外，在更上游的SiC衬底片、外延片领域，国内厂商也在积极扩产。天岳先进投资25亿元扩产6英寸导电型碳化硅衬底材料；露笑科技定增募资2567亿元用于大尺寸碳化硅衬底片等项目。只不过，这一环节国产企业起步较晚，市场基本被国外厂商垄断。网页供给端：衬底市场有望保持快速增长，国内有效产能仍有不足根据 Yole，全球半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为 4 英寸）将由 2020 年的 1656 万片增长至 2025 年的 4384 万片，年复合增长率为 2150%。 SiC衬底价格会随着尺寸增加有所下降，同时进一步带来碳化硅衬底市场规模、行业格局及发展趋势百度文库

半导体碳化硅（SiC）行业研究：打开新能源汽车百亿市场空间

网页碳化硅衬底是碳化硅器件制备必不可少、也是目前成本最高的一环，分析碳化硅衬底的市场空间有着重要的意义。在这里，我们对全球碳化硅衬底 2021 年到 2025 年在新能源汽车、光伏领域的市场空间、衬底需求量进行了测算，并以此为参比预测出了碳化硅衬底的总市场空间及衬底需求量。网页2022年5月17日衬底市场有望保持快速增长：根据 Yole，全球半绝缘型碳化硅衬底市场出货量（折算为 4 英寸）将由 2020 年的 1656 万片增长至 2025 年的 4384 万片，期间复合增长率为 2150%。以市场规模计算，全球 GaN 射频器件中，以碳化硅为衬底的约占 90%。以此全球半绝缘型碳化硅村底销量预测（万片) 行业研究数据