细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

碳化硅生产线炉子碳化硅生产线炉子碳化硅生产线炉子

2020-06-20T00:06:01+00:00

连点成线，自主装备助力国产碳化硅芯片“换道超车” 实干开

网页2023年4月14日随着国家第三代半导体技术创新中心（湖南）的实体化运行，48所以外延、注入、氧化、激活等专用装备为核心，结合立式扩散炉、PVD等通用设备和半导体芯片网页2023年4月14日早期国内碳化硅外延片研究和生产几乎全部依赖进口，48所通过自主研发，研制出完全对标国外设备性能的6英寸碳化硅外延炉，经过用户上线使用验证，设备的连点成线，自主装备助力国产碳化硅芯片“换道超车” 实干开新局

进展露笑科技6英寸导电型碳化硅衬底片已批量生产，产线

网页2022年2月16日目前，露笑科技已经实现6英寸导电型碳化硅衬底片的批量生产，但世界上仅Wolfspeed、IIVI等龙头企业完成了8英寸碳化硅衬底片的研发，且Wolfspeed已开始网页2022年5月7日依据市场发展需要新建碳化硅陶瓷制品生产线,拥有国内先进的碳化硅陶瓷生产工艺及一批专业技术人员。以无压烧结碳化硅技术为核心生产碳化硅陶瓷制品,应用于通化市年产5000吨碳化硅陶瓷项目

冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法西安科技大学

网页2021年4月11日碳化硅的工业生产，国内外一直沿用 100 多年前 Acheson 发明的单炉芯技术，该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小，因而生产效率网页2022年5月11日一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉来源：中国粉体网山川 29443人阅读标签长晶炉碳化硅晶片碳化硅微粉碳化硅晶片 [导读] 一一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉中国粉体网

冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法西安科技大学科技处

网页2017年5月12日冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法所属领域:材料科学与工程成果简介:1成果的基本情况碳化硅的工业生产，国内外一直沿用100多年前Acheson发明的单网页碳化硅真空烧结炉该碳化硅氮化硅烧结炉可用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结，也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。该设备最高温度可达2400℃，具有排胶、除尘系统，排胶烧结一次碳化硅真空烧结炉小型真空烧结炉真空炉真空炉

合计14亿！2个SiC项目签约/安装设备最近，内蒙古和湖南

网页最近，内蒙古和湖南两地的碳化硅相关项目有新进展。瀚海半导体SiC项目将设备入场据“包头新闻网”报道，4月22日，内蒙古包头市重大项目观摩推进会迎来了第二天的日程。当网页2023年2月4日拟投资35亿在浙江建设22万片6~8英寸碳化硅芯片生产线。在合肥高新区投资建设6英寸碳化硅单晶生长及加工项目，国家集成电路产业投资基金持股1055%。露笑科技：碳化硅长晶炉，预计2022年底实现月产5000片。定增24万片6英寸导电型衬底+5万片外延碳化硅产业链深度解析（全网最全独家）碳化硅产业链深度

调研露笑科技布局碳化硅进展：首批50台长晶炉已全部投产

网页2021年11月17日碳化硅晶体生成后，需要经过切、磨、抛等工艺流程，该阶段与公司原蓝宝石生产工艺相近。程明认为，SiC大市场应用在新能源领域，预计2023 网页2023年4月17日 PVT 法利用“升华转移再生长”原理生长碳化硅晶体。高纯度碳粉与硅粉按特定比例混合，将形成的高纯度碳化硅微粉与籽晶分别放置生长炉内坩埚的底部和顶部，温度升高至 2000°C 以上，控制坩埚下部温度略高于顶部，形成温度差，碳化硅微粉升华成气态 Si，SiC2 和 Si2C 后，在籽晶处重新结晶生长碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

碳化硅冶炼工艺反应

网页2020年12月24日熔炼时，电阻炉通电，炉芯体温度上升，达到2600℃左右，通过炉芯体表面传热给周围的混合料，使之发生反应生成碳化硅，并逸出CO气体。一氧化碳在炉表面燃烧生成二氧化碳，形成一个柔和、起伏的蓝色至黄色火焰毡被，一小部分为燃烧的一氧化碳进入网页2023年4月24日其中，在碳化硅领域，晶升装备自2018年起率先投入46英寸导电型碳化硅单晶炉研发，2019年实现首台产品销售，产品于2020年开始批量化投入下游碳化硅功率器件（导电型衬底）应用领域验证及应用；2020年又完成6英寸半绝缘型碳化硅单晶炉研发、改进首日涨31%！南京晶升登陆科创板晶体碳化硅单晶硅

打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备和产品

网页2023年3月26日打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备和产品实现量产,单晶,半导体,产业链,长晶炉,碳化硅材料本报记者彭溢在2000多摄氏度的长晶炉生长室内，一块6英寸碳化硅晶体即将长成，它是新能源汽车动力系统极好的功率芯片材料，也是5G通讯、轨道交通、智能电网等领域炙手可热的关键网页碳化硅真空烧结炉该碳化硅氮化硅烧结炉可用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结，也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。该设备最高温度可达2400℃，具有排胶、除尘系统，排胶烧结一次碳化硅真空烧结炉小型真空烧结炉真空炉真空炉

第三代半导体产业链 1、碳化硅产业链（1）竞争格局SiC 衬

网页2022年11月17日 1、碳化硅产业链（1）竞争格局 SiC 衬底市场高度集中，Wolfspeed、ⅡⅥ全面领先，2020 年山东天岳在半绝缘型市场份额达 30%。碳化硅衬底为碳化硅产业链核心环节，据 Yole 数据，2020 年半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底市场规模分别达 182 网页再建设 5000 吨四高 Sic 砂生产线和 5000 吨高纯精细αSic 微粉生产线，并实现炉气回收系统的装备。根据后期发展需要，建设高技术陶瓷制品 1 千吨生产线。青海中瑞碳化硅有限公司二 O 一三年三月二十六日此文档是由网络收集并进行重新排版整理word 可【生产】碳化硅生产线改造新建立方碳化硅生产线项目建议书

合计14亿！2个SiC项目签约/安装设备最近，内蒙古和湖南

网页最近，内蒙古和湖南两地的碳化硅相关项目有新进展。瀚海半导体SiC项目将设备入场据“包头新闻网”报道，4月22日，内蒙古包头市重大项目观摩推进会迎来了第二天的日程。当天，观摩团走进18个重点项目建设现场。其中，内蒙古瀚海半导体有限公司碳化硅晶体（第三代半导网页2023年4月14日早期国内碳化硅外延片研究和生产几乎全部依赖进口，48所通过自主研发，研制出完全对标国外设备性能的6英寸碳化硅外延炉，经过用户上线使用验证，设备的技术指标均达到行业应用的主流水平，有力支撑了国产碳化硅芯片产业的大规模快速发展。连点成线，自主装备助力国产碳化硅芯片“换道超车” 实干开新局

碳化硅产业链深度解析（全网最全独家）碳化硅产业链深度

网页2023年2月4日拟投资35亿在浙江建设22万片6~8英寸碳化硅芯片生产线。在合肥高新区投资建设6英寸碳化硅单晶生长及加工项目，国家集成电路产业投资基金持股1055%。露笑科技：碳化硅长晶炉，预计2022年底实现月产5000片。定增24万片6英寸导电型衬底+5万片外延网页2021年11月17日碳化硅晶体生成后，需要经过切、磨、抛等工艺流程，该阶段与公司原蓝宝石生产工艺相近。程明认为，SiC大市场应用在新能源领域，预计2023 调研露笑科技布局碳化硅进展：首批50台长晶炉已全部投产

天域半导体打造东莞8 英寸碳化硅外延晶片生产线，计划今年动工

网页该项目核心产品为 SiC 外延片，天域半导体利用该项目对其产业基础进一步巩固。项目计划购置 947 亩用地建设天域半导体碳化硅外延材料研发及产业化项目，用于碳化硅外延关键技术的研发及全球首条8 英寸碳化硅外延晶片生产线的建设。网页2022年5月11日一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉来源：中国粉体网山川 29443人阅读标签长晶炉碳化硅晶片碳化硅微粉碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉中国粉体网

首日涨31%！南京晶升登陆科创板晶体碳化硅单晶硅

网页2023年4月24日其中，在碳化硅领域，晶升装备自2018年起率先投入46英寸导电型碳化硅单晶炉研发，2019年实现首台产品销售，产品于2020年开始批量化投入下游碳化硅功率器件（导电型衬底）应用领域验证及应用；2020年又完成6英寸半绝缘型碳化硅单晶炉研发、改进网页2016年12月10日合成时间为26~36h，冷却24h后可以浇水冷却，出炉后分层、分级拣选。破碎后用硫酸酸洗，除掉合成料中的铁、铝、钙、镁等杂质。工业用碳化硅的合成工艺流程，如图1所示。合成碳化硅流程图 (四)合成碳化硅的理化性能合成碳化硅的化学成分 (一)合成碳化硅生产工艺豆丁网

【生产】碳化硅生产线改造新建立方碳化硅生产线项目建议书

网页再建设 5000 吨四高 Sic 砂生产线和 5000 吨高纯精细αSic 微粉生产线，并实现炉气回收系统的装备。根据后期发展需要，建设高技术陶瓷制品 1 千吨生产线。青海中瑞碳化硅有限公司二 O 一三年三月二十六日此文档是由网络收集并进行重新排版整理word 可网页产品介绍：该碳化硅氮化硅烧结炉可用于SiC陶瓷制品的反应烧结、无压烧结、重结晶烧结、热等静压烧结，也可用于氮化硅等其他陶瓷制品的烧结。该设备最高温度可达2400℃，具有排胶、除尘系统，排胶烧结一次完成。碳化硅真空烧结炉小型真空烧结炉真空炉真空炉